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MMBTA92LT3G、SMMBTA92LT3G、MMBTA92LT3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBTA92LT3G SMMBTA92LT3G MMBTA92LT3

描述 高压晶体管PNP硅 High Voltage Transistors PNP Silicon高电压晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管高压晶体管( PNP硅) High Voltage Transistors(PNP Silicon)

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 50 MHz 50 MHz -

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 0.3 W 0.3 W 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) 300 V 300 V 300 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.05A

最小电流放大倍数(hFE) 25 @30mA, 10V 25 @30mA, 10V 25 @30mA, 10V

额定功率(Max) 300 mW 300 mW 300 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 300 mW

额定电压(DC) -300 V - -300 V

额定电流 -500 mA - -500 mA

直流电流增益(hFE) 40 - -

增益频宽积 - - 600 MHz

长度 - 3.04 mm 2.9 mm

宽度 - 2.64 mm 1.3 mm

高度 - 0.94 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -