锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

ATF-36163-BLKG、ATF-36163-TR1、ATF-36163-TR1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ATF-36163-BLKG ATF-36163-TR1 ATF-36163-TR1G

描述 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Transistor GaAs High Frequency1.5-18千兆赫表面贴装赝HEMT 1.5-18 GHz Surface Mount Pseudomorphic HEMT射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Transistor GaAs High Frequency

数据手册 ---

制造商 AVAGO Technologies (安华高科) Agilent (安捷伦) AVAGO Technologies (安华高科)

分类 晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 6

封装 SOT-363 SOT-363 SOT-363

频率 4 GHz - 4 GHz

额定电压(DC) - - 3.00 V

额定电流 40 mA - 40 mA

耗散功率 180 mW - 180 mW

漏源极电压(Vds) - - 3.00 V

连续漏极电流(Ids) - - 40.0 mA

输出功率 5 dBm - 5 dBm

增益 10 dB - 10 dB

测试电流 15 mA - 15 mA

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

额定电压 - - 3 V

封装 SOT-363 SOT-363 SOT-363

工作温度 - - -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Bulk - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free