ATF-36163-TR1G
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AVAGO Technologies
安华高科
主动器件
ATF-36163-TR1G中文资料参数规格
技术参数
频率 4 GHz
额定电压DC 3.00 V
额定电流 40 mA
耗散功率 180 mW
漏源极电压Vds 3.00 V
连续漏极电流Ids 40.0 mA
输出功率 5 dBm
增益 10 dB
测试电流 15 mA
工作温度Max 150 ℃
额定电压 3 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363
外形尺寸
封装 SOT-363
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ATF-36163-TR1G引脚图与封装图
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在线购买ATF-36163-TR1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ATF-36163-TR1G | AVAGO Technologies 安华高科 | 射频结栅场效应晶体管RF JFET晶体管 Transistor GaAs High Frequency | 搜索库存 |
替代型号ATF-36163-TR1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ATF-36163-TR1G 品牌： AVAGO Technologies 安华高科 封装： SOT-363 3V 40mA | 当前型号 | 射频结栅场效应晶体管RF JFET晶体管 Transistor GaAs High Frequency | 当前型号 |
| 型号： ATF-36163-BLKG 品牌： 博通 封装： SOT-363 3V 40mA 180mW | 功能相似 | BROADCOM LIMITED ATF-36163-BLKG 晶体管, 射频FET, 高线性度, 3 V, 40 mA, 180 mW, 1.5 GHz, 18 GHz, SOT-363 | ATF-36163-TR1G和ATF-36163-BLKG的区别 |