频率 4 GHz
额定电流 40 mA
耗散功率 180 mW
输出功率 5 dBm
增益 10 dB
测试电流 15 mA
工作温度Max 150 ℃
封装 SOT-363
封装 SOT-363
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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ATF-36163-BLKG | AVAGO Technologies 安华高科 | 射频结栅场效应晶体管RF JFET晶体管 Transistor GaAs High Frequency | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: ATF-36163-BLKG 品牌: AVAGO Technologies 安华高科 封装: SOT-363 | 当前型号 | 射频结栅场效应晶体管RF JFET晶体管 Transistor GaAs High Frequency | 当前型号 | |
型号: ATF-36163-TR1G 品牌: 安华高科 封装: SOT-363 3V 40mA | 完全替代 | 射频结栅场效应晶体管RF JFET晶体管 Transistor GaAs High Frequency | ATF-36163-BLKG和ATF-36163-TR1G的区别 | |
型号: ATF-36163-TR1 品牌: 安捷伦 封装: | 功能相似 | 1.5-18千兆赫表面贴装赝HEMT 1.5-18 GHz Surface Mount Pseudomorphic HEMT | ATF-36163-BLKG和ATF-36163-TR1的区别 |