STW21NM60ND、STW24N60DM2、APT28F60B对比区别

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型号 STW21NM60ND STW24N60DM2 APT28F60B

描述 STMICROELECTRONICS  STW21NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 V晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 600 V, 0.175 ohm, 10 V, 4 VN沟道FREDFET N-Channel FREDFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.17 Ω 0.175 Ω -

极性 N-Channel - -

耗散功率 140 W 150 W 520 W

阈值电压 4 V 4 V -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

上升时间 16 ns 8.7 ns -

输入电容(Ciss) 1800pF @50V(Vds) 1055pF @100V(Vds) 5575pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 140 W 150 W 520 W

下降时间 48 ns 15 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 140W (Tc) 150W (Tc) 520W (Tc)

额定电压(DC) - - 600 V

额定电流 - - 28.0 A

连续漏极电流(Ids) - - 28.0 A

输入电容 - 1055 pF -

长度 15.75 mm 15.75 mm -

宽度 5.15 mm - -

高度 20.15 mm - 21.46 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -