
额定电压DC 600 V
额定电流 28.0 A
耗散功率 520 W
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 28.0 A
输入电容Ciss 5575pF @25VVds
额定功率Max 520 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 520W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: APT28F60B 品牌: Microsemi 美高森美 封装: TO-247 600V 28A | 当前型号 | N沟道FREDFET N-Channel FREDFET | 当前型号 | |
型号: STW21NM60ND 品牌: 意法半导体 封装: TO-247 N-Channel | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STW21NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 V | APT28F60B和STW21NM60ND的区别 | |
型号: SPW16N50C3 品牌: 英飞凌 封装: TO-247 N-Channel 560V 16A | 功能相似 | Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | APT28F60B和SPW16N50C3的区别 | |
型号: STW20NM60FD 品牌: 意法半导体 封装: TO-247 N-Channel 600V 20A 290mΩ 1.3nF | 功能相似 | N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics | APT28F60B和STW20NM60FD的区别 |