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STW21NM60ND

STW21NM60ND

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  STW21NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 V

N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 600V 17A TO247-3


立创商城:
N沟道 600V 17A


欧时:
STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STW21NM60ND, 17 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


富昌:
N-Channel 600 V 0.22 Ω 60 nC Flange Mount FDmesh II Power MOSFET - TO-247


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 140W; TO247


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STW21NM60ND  MOSFET Transistor, N Channel, 17 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 V


儒卓力:
**N-CH 650V 17A 220mOhm TO247-3 **


力源芯城:
600V,17A,N沟道MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 17A TO-247


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 17A TO-247


STW21NM60ND中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.17 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 140 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 16 ns

输入电容Ciss 1800pF @50VVds

额定功率Max 140 W

下降时间 48 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 140W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 20.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

STW21NM60ND引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
STW21NM60ND ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STW21NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 V 搜索库存
替代型号STW21NM60ND
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STW21NM60ND

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-247 N-Channel

当前型号

STMICROELECTRONICS  STW21NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 V

当前型号

型号: STW24N60DM2

品牌: 意法半导体

封装: TO-247-3

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