FDS6298、IRF7413、SI4686DY-T1-E3对比区别

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型号 FDS6298 IRF7413 SI4686DY-T1-E3

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6298  晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 30 V, 7.4 mohm, 10 V, 1.7 VTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8Pin SOICVISHAY  SI4686DY-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 18.2 A, 30 V, 0.0078 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) International Rectifier (国际整流器) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

针脚数 8 - 8

漏源极电阻 0.0074 Ω - 0.0078 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 3 W 2.5 W 5.2 W

阈值电压 1.7 V - 3 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30.0 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 13.0 A 13.0 A 18.2 A

上升时间 5 ns 8.00 ns 20 ns

输入电容(Ciss) 1108pF @15V(Vds) - 1220pF @15V(Vds)

下降时间 7 ns - 8 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 3W (Ta) - 3000 mW

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -

额定电流 13.0 A 13.0 A -

通道数 1 - -

输入电容 1.11 nF - -

栅电荷 10.0 nC - -

漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

额定功率(Max) 1.2 W - -

产品系列 - IRF7413 -

长度 4.9 mm - 4.9 mm

宽度 3.9 mm - 3.9 mm

高度 1.75 mm - 1.55 mm

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 Active Active -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - -