BD241C、TIP31CG、TIP29CTU对比区别
描述 STMICROELECTRONICS BD241C 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 40 W, 5 A, 25 hFEON SEMICONDUCTOR TIP31CG 单晶体管 双极, 通用, NPN, 100 V, 3 MHz, 40 W, 3 A, 10 hFENPN 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
频率 3 MHz 3 MHz 3 MHz
针脚数 3 3 -
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 40 W 40 W 2 W
击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V
最小电流放大倍数(hFE) 10 @3A, 4V 10 @3A, 4V 15 @1A, 4V
最大电流放大倍数(hFE) 25 - 75
额定功率(Max) 40 W 2 W 2 W
直流电流增益(hFE) 25 10 40
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ 65 ℃
耗散功率(Max) 40000 mW 2000 mW 30 W
额定电压(DC) - 100 V 100 V
额定电流 - 3.00 A 1.00 A
热阻 - 3.125℃/W (RθJC) -
集电极最大允许电流 - 3A 1A
工作结温 - -65℃ ~ 150℃ -
增益频宽积 - - 3 MHz
宽度 4.6 mm 4.82 mm 4.83 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 - 10.28 mm 10.67 mm
高度 - 9.28 mm 16.51 mm
材质 Silicon Silicon -
工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99 EAR99