FDS8962C、FDS8962C_NL、STS8C5H30L对比区别

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型号 FDS8962C FDS8962C_NL STS8C5H30L

描述 双N和P沟道功率沟槽 Dual N & P-Channel Power TrenchSOIC N+P 30V 7A/5ASTMICROELECTRONICS  STS8C5H30L  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 8 A, 30 V, 0.018 ohm, 10 V, 1.6 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

额定电流 7.00 A - 8.00 A

极性 N-Channel, P-Channel N+P N-Channel, P-Channel

耗散功率 2 W - 1.6 W

输入电容 528 pF - -

栅电荷 9.60 nC - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 ±30.0 V - 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±16.0 V

连续漏极电流(Ids) 5.00 A 7A/5A 8.00 A, 4.20 A

上升时间 13.0 ns - 35.0 ns

输入电容(Ciss) 575pF @15V(Vds) - 857pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 900 mW - 2 W

耗散功率(Max) 900 mW - 2000 mW

通道数 - - 2

针脚数 - - 8

漏源极电阻 - - 0.018 Ω

阈值电压 - - 1.6 V

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

长度 - - 5 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - - 1.65 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99