FQPF12N60、FQPF12N60T、FQPF12N60C对比区别

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型号 FQPF12N60 FQPF12N60T FQPF12N60C

描述 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFETN沟道,600V,12A,650mΩ@10V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - - 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V

额定电流 10.5 A 10.5 A 12.0 A

额定功率 - - 51 W

通道数 - - 1

漏源极电阻 700 mΩ 700 mΩ 650 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 55 W 55 W 51 W

输入电容 1.90 nF 1.90 nF 1.90 nF

栅电荷 54.0 nC 54.0 nC 54.0 nC

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

漏源击穿电压 600 V 600 V 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 5.80 A 5.80 A 5.80 A

上升时间 115 ns 115 ns 85 ns

输入电容(Ciss) 1900pF @25V(Vds) 1900pF @25V(Vds) 2290pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 55 W 55 W 51 W

下降时间 85 ns 85 ns 90 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 55W (Tc) 55W (Tc) 51W (Tc)

长度 10.67 mm 10.67 mm 10.67 mm

宽度 4.7 mm 4.7 mm 4.7 mm

高度 16.3 mm 16.3 mm 15.87 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99

香港进出口证 - - NLR