FQPF12N60T
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQPF12N60T中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 10.5 A
漏源极电阻 700 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 55 W
输入电容 1.90 nF
栅电荷 54.0 nC
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 5.80 A
上升时间 115 ns
输入电容Ciss 1900pF @25VVds
额定功率Max 55 W
下降时间 85 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 55W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQPF12N60T引脚图与封装图
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在线购买FQPF12N60T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQPF12N60T | Fairchild 飞兆/仙童 | 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FQPF12N60T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQPF12N60T 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220-3 N-Channel 600V 5.8A 700mohms 1.9nF | 当前型号 | 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FQPF12N60 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220-3 N-Channel 600V 5.8A 700mohms 1.9nF | 完全替代 | 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET | FQPF12N60T和FQPF12N60的区别 |
| 型号： FQPF12N60C 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220-3 N-Channel 600V 5.8A 650mohms 1.9nF | 类似代替 | N沟道,600V,12A,650mΩ@10V | FQPF12N60T和FQPF12N60C的区别 |
| 型号： STP10NK60ZFP 品牌： 意法半导体 封装： TO-220FP N-Channel 600V 10A 750mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP10NK60ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.65 ohm, 10 V, 3.75 V | FQPF12N60T和STP10NK60ZFP的区别 |