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FQPF12N60C

FQPF12N60C

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

N沟道,600V,12A,650mΩ@10V

Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using ’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology hasbeen especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devicesare well suited for high

efficient switched mode power supplies, active power factor correction, electronic lamp ballast based on half bridge topology.

Features

• 12A, 600V, RDSon= 0.65Ω@VGS= 10 V

• Low gate charge typical 48 nC

• Low Crss typical 21pF

•Fast switching

• 100% avalanche tested

• Improved dv/dt capability

• RoHS compliant

FQPF12N60C中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 12.0 A

额定功率 51 W

通道数 1

漏源极电阻 650 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 51 W

输入电容 1.90 nF

栅电荷 54.0 nC

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 5.80 A

上升时间 85 ns

输入电容Ciss 2290pF @25VVds

额定功率Max 51 W

下降时间 90 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 51W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.7 mm

高度 15.87 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

FQPF12N60C引脚图与封装图
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在线购买FQPF12N60C
型号 制造商 描述 购买
FQPF12N60C Fairchild 飞兆/仙童 N沟道,600V,12A,650mΩ@10V 搜索库存
替代型号FQPF12N60C
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FQPF12N60C

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-220-3 N-Channel 600V 5.8A 650mohms 1.9nF

当前型号

N沟道,600V,12A,650mΩ@10V

当前型号

型号: FQPF12N60

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-220-3 N-Channel 600V 5.8A 700mohms 1.9nF

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封装: TO-220-3 N-Channel 600V 5.8A 700mohms 1.9nF

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品牌: 意法半导体

封装: TO-220FP N-Channel 600V 10A 750mΩ

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