FDC634P、FDC655BN、NTGS5120PT1G对比区别
型号 FDC634P FDC655BN NTGS5120PT1G
描述 PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC655BN 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 30 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.9 VP 通道功率 MOSFET，30V 至 500V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6 SOT-23-6
额定电压(DC) -20.0 V 30.0 V -
额定电流 -3.50 A 6.30 A -
针脚数 - 6 6
漏源极电阻 0.08 Ω 0.021 Ω 0.072 Ω
极性 P-Channel N-Channel P-Channel
耗散功率 1.6 W 1.6 W 1.1 W
阈值电压 - 1.9 V 3 V
输入电容 779 pF 570 pF -
栅电荷 7.20 nC 10.0 nC -
漏源极电压(Vds) 20 V 30 V 60 V
漏源击穿电压 -20.0 V 30.0 V 60 V
栅源击穿电压 ±8.00 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 3.50 A 6.30 A 2.90 A, -2.50 A
上升时间 9 ns 4 ns 4.9 ns
输入电容(Ciss) 779pF @10V(Vds) 570pF @15V(Vds) 942pF @30V(Vds)
额定功率(Max) 800 mW 800 mW 600 mW
下降时间 11 ns 3 ns 12.8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1.6W (Ta) 1.6 W 600mW (Ta)
通道数 - - 1
长度 3 mm 3 mm 3.1 mm
宽度 1.7 mm 1.7 mm 1.5 mm
高度 1 mm 1 mm 1 mm
封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6 SOT-23-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
香港进出口证 - - NLR