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FDC634P

FDC634P

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Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流IdDrain Current| -350mA/-0.35A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.07Ω @-250mA,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.4--1V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.6W Description & Applications| TM-6 package design using copper lead frame for superior thermal and electrical capabilities. High density cell design for extremely low RDSON Exceptional on-resistance and maximum DC current capability 描述与应用| TM-6包装设计采用铜引线框架的 卓越的热性能和电气性能。 高密度电池设计极低的RDS（ON） 卓越的导通电阻和最大DC电流能力

FDC634P中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -20.0 V

额定电流 -3.50 A

漏源极电阻 0.08 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.6 W

输入电容 779 pF

栅电荷 7.20 nC

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 -20.0 V

栅源击穿电压 ±8.00 V

连续漏极电流Ids 3.50 A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 779pF @10VVds

额定功率Max 800 mW

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.6W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.7 mm

高度 1 mm

封装 TSOT-23-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDC634P引脚图与封装图
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在线购买FDC634P
型号 制造商 描述 购买
FDC634P Fairchild 飞兆/仙童 PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 搜索库存
替代型号FDC634P
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： FDC634P

品牌： Fairchild 飞兆/仙童

封装： SSOT P-Channel 20V 3.5A 80mohms 779pF

当前型号

PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

当前型号

型号： FDC655BN

品牌： 飞兆/仙童

封装： SSOT N-Channel 30V 6.3A 25mohms 570pF

类似代替

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC655BN  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 30 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.9 V

FDC634P和FDC655BN的区别

型号： NTUD3169CZT5G

品牌： 安森美

封装： SOT963 N-Channel 20V 280mA

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  NTUD3169CZT5G.  场效应管, MOSFET, N+P沟道, 20V, SOT-963

FDC634P和NTUD3169CZT5G的区别

型号： NTUD3170NZT5G

品牌： 安森美

封装： SOT-963 N-Channel 20V 280mA

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  NTUD3170NZT5G.  场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20V, SOT-963

FDC634P和NTUD3170NZT5G的区别