BSR16,215、MMBT2907ALT1G、BC817DS,115对比区别

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型号 BSR16,215 MMBT2907ALT1G BC817DS,115

描述 NXP  BSR16,215  单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 250 mW, -600 mA, 75 hFEON SEMICONDUCTOR  MMBT2907ALT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 200 MHz, 225 mW, -600 mA, 200 hFENXP  BC817DS,115.  双极性晶体管阵列, 双路NPN, 45V, 500mA, 6-SOT-457

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 6

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-457

频率 200 MHz 200 MHz 100 MHz

额定电压(DC) - -60.0 V -

额定电流 - -600 mA -

额定功率 - 300 mW -

针脚数 3 3 6

极性 PNP PNP NPN

耗散功率 250 mW 225 mW 600 mW

输入电容 - 30 pF -

上升时间 - 40 ns -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 45 V

集电极最大允许电流 0.6A 0.6A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V 160 @100mA, 1V

额定功率(Max) 250 mW 300 mW 600 mW

直流电流增益(hFE) 75 200 160

下降时间 - 30 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 250 mW 300 mW 600 mW

最大电流放大倍数(hFE) - - 160 @100mA, 1V

长度 - 3.04 mm 3.1 mm

宽度 1.4 mm 1.3 mm 1.7 mm

高度 - 0.94 mm 1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-457

材质 - Silicon -

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

香港进出口证 - NLR NLR