频率 200 MHz
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
额定功率Max 250 mW
直流电流增益hFE 75
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
宽度 1.4 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BSR16,215 | NXP 恩智浦 | NXP BSR16,215 单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 250 mW, -600 mA, 75 hFE | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BSR16,215 品牌: NXP 恩智浦 封装: SOT-23 PNP 250mW | 当前型号 | NXP BSR16,215 单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 250 mW, -600 mA, 75 hFE | 当前型号 | |
型号: PMBT2907A,235 品牌: 恩智浦 封装: TO-236-3 PNP 250mW | 完全替代 | TO-236AB PNP 60V 0.6A | BSR16,215和PMBT2907A,235的区别 | |
型号: PMBT2907A,215 品牌: 恩智浦 封装: TO-236AB PNP 0.25W | 类似代替 | NXP PMBT2907A,215 单晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 200 MHz, 250 mW, -600 mA, 100 hFE | BSR16,215和PMBT2907A,215的区别 | |
型号: MMBT2907ALT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 PNP -60V -600mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBT2907ALT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 200 MHz, 225 mW, -600 mA, 200 hFE | BSR16,215和MMBT2907ALT1G的区别 |