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BSR16,215
NXP 恩智浦 分立器件
BSR16,215中文资料参数规格
技术参数

频率 200 MHz

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

额定功率Max 250 mW

直流电流增益hFE 75

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

宽度 1.4 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

BSR16,215引脚图与封装图
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在线购买BSR16,215
型号 制造商 描述 购买
BSR16,215 NXP 恩智浦 NXP  BSR16,215  单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 250 mW, -600 mA, 75 hFE 搜索库存
替代型号BSR16,215
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BSR16,215

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT-23 PNP 250mW

当前型号

NXP  BSR16,215  单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 250 mW, -600 mA, 75 hFE

当前型号

型号: PMBT2907A,235

品牌: 恩智浦

封装: TO-236-3 PNP 250mW

完全替代

TO-236AB PNP 60V 0.6A

BSR16,215和PMBT2907A,235的区别

型号: PMBT2907A,215

品牌: 恩智浦

封装: TO-236AB PNP 0.25W

类似代替

NXP  PMBT2907A,215  单晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 200 MHz, 250 mW, -600 mA, 100 hFE

BSR16,215和PMBT2907A,215的区别

型号: MMBT2907ALT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 PNP -60V -600mA 300mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MMBT2907ALT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 200 MHz, 225 mW, -600 mA, 200 hFE

BSR16,215和MMBT2907ALT1G的区别