IRG4RC10KTRL、SGD02N60、IRG4RC10KTRRPBF对比区别

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型号 IRG4RC10KTRL SGD02N60 IRG4RC10KTRRPBF

描述 IGBT 600V 9A 38W DPAK在NPT技术降低75 ％的Eoff快速IGBT相比上一代 Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generationInsulated Gate Bipolar Transistor, 9A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, DPAK-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 TO-252-3 TO-252 -

长度 - 6.5 mm -

宽度 - 6.22 mm -

高度 - 2.3 mm -

封装 TO-252-3 TO-252 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

击穿电压(集电极-发射极) 600 V - -

额定功率(Max) 38 W - -