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SGD02N60
Infineon(英飞凌) 分立器件
SGD02N60中文资料参数规格
封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SGD02N60引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SGD02N60 Infineon 英飞凌 在NPT技术降低75 %的Eoff快速IGBT相比上一代 Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation 搜索库存
替代型号SGD02N60
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SGD02N60

品牌: Infineon 英飞凌

封装: DPak

当前型号

在NPT技术降低75 %的Eoff快速IGBT相比上一代 Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation

当前型号

型号: HGTD3N60C3S9A

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-252-3 600V 6A 33000mW

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封装:

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