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FDN337N、FDN337N_NL、RTR040N03TL对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDN337N FDN337N_NL RTR040N03TL

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN337N  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.2 A, 30 V, 65 mohm, 4.5 V, 700 mVN-Channel Logic-Level Enhancement Mode Field Effect TransistorROHM  RTR040N03TL  晶体管, MOSFET, 低栅极阈值电压, N沟道, 4 A, 30 V, 66 mohm, 4.5 V, 1.5 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

封装 SOT-23-3 SuperSOT SOT-23-3

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 3 - 3

极性 N-Channel N-CH N-Channel

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 2.20 A 2.2A 4.00 A

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 2.20 A - -

通道数 1 - -

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.054 Ω - 0.066 Ω

耗散功率 500 mW - 1 W

阈值电压 700 mV - 1.5 V

漏源击穿电压 30.0 V - -

栅源击穿电压 ±8.00 V - -

上升时间 10 ns - 18 ns

输入电容(Ciss) 300pF @10V(Vds) - 475pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 460 mW - 1 W

下降时间 4 ns - 19 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 500mW (Ta) - 1W (Ta)

封装 SOT-23-3 SuperSOT SOT-23-3

长度 2.92 mm - 2.9 mm

宽度 1.4 mm - 1.60 mm

高度 0.94 mm - 0.85 mm

产品生命周期 Active Unknown Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon