IRF8113TRPBF、SI4168DY-T1-GE3、FDS6676AS对比区别

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型号 IRF8113TRPBF SI4168DY-T1-GE3 FDS6676AS

描述 N沟道,30V,17.2A,5.6mΩ@10VN 通道 MOSFET，30V 至 50V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6676AS  晶体管, MOSFET, N沟道+肖特基, 14.5 A, 30 V, 0.0045 ohm, 10 V, 1.5 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) VISHAY (威世) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

漏源极电阻 6.8 mΩ 6.2 mΩ 0.0045 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 17.2 A 16.0 A, 24.0 A, 24.0 mA 14.5 A

上升时间 8.90 ns 14 ns 12 ns

输入电容(Ciss) 2910pF @15V(Vds) 1720pF @15V(Vds) 2510pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 5.7 W 1 W

下降时间 - 15 ns 29 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 5.7 W 2.5W (Ta)

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 16.6 A - -

产品系列 IRF8113 - -

输入电容 2910pF @15V - -

漏源击穿电压 30 V - 30 V

通道数 - - 1

针脚数 - - 8

阈值电压 - - 1.5 V

栅源击穿电压 - - ±16.0 V

长度 5 mm 5 mm 5 mm

宽度 - 4 mm 4 mm

高度 1.5 mm 1.55 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - 2500 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99