LM385BM-1.2、LM385M-1.2/NOPB、LM385BM-1.2/NOPB对比区别
型号 LM385BM-1.2 LM385M-1.2/NOPB LM385BM-1.2/NOPB
描述 LM185-1.2 -N / LM285-1.2 -N / LM385-1.2 -N微功耗电压基准二极管 LM185-1.2-N/LM285-1.2-N/LM385-1.2-N Micropower Voltage Reference Diode1.2V 至 2.3V### 电压参考，Texas Instruments精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑，并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。1.2V 至 2.3V### 电压参考，Texas Instruments精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑，并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电流 - 10.0 A 10 A
容差 ±1 % ±2 % ±1 %
输出电压 1.235 V 1.235 V 1.235 V
输出电流 20 mA 20 mA 20 mA
供电电流 - 10.0 mA 10.0 mA
通道数 1 1 1
针脚数 - - 8
输出电压(Max) - 1.235 V 1.2 V
输出电压(Min) 1.235 V 1.235 V 1.235 V
输出电流(Max) 20 mA 20 mA 20 mA
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃
精度 2 % ±2 % 2 %
长度 4.9 mm 4.9 mm 4.9 mm
宽度 3.9 mm 3.9 mm 3.9 mm
高度 1.45 mm 1.45 mm 1.45 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)
温度系数 ±150 ppm/℃ ±150 ppm/℃ ±150 ppm/℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99 EAR99