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LM385BM-1.2

LM385BM-1.2

TI(德州仪器) 主动器件

LM185-1.2 -N / LM285-1.2 -N / LM385-1.2 -N微功耗电压基准二极管 LM185-1.2-N/LM285-1.2-N/LM385-1.2-N Micropower Voltage Reference Diode

分流器 电压基准 IC ±1% 8-SOIC


得捷:
IC VREF SHUNT 1% 8SOIC


贸泽:
Voltage References R 926-LM385BM/NOPB


艾睿:
V-Ref Precision 1.235V 20mA 8-Pin SOIC Tube


LM385BM-1.2中文资料参数规格
技术参数

容差 ±1 %

输出电压 1.235 V

输出电流 20 mA

通道数 1

输出电压Min 1.235 V

输出电流Max 20 mA

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

精度 2 %

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.45 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

温度系数 ±150 ppm/℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

LM385BM-1.2引脚图与封装图
LM385BM-1.2引脚图

LM385BM-1.2引脚图

LM385BM-1.2封装图

LM385BM-1.2封装图

LM385BM-1.2封装焊盘图

LM385BM-1.2封装焊盘图

在线购买LM385BM-1.2
型号 制造商 描述 购买
LM385BM-1.2 TI 德州仪器 LM185-1.2 -N / LM285-1.2 -N / LM385-1.2 -N微功耗电压基准二极管 LM185-1.2-N/LM285-1.2-N/LM385-1.2-N Micropower Voltage Reference Diode 搜索库存
替代型号LM385BM-1.2
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: LM385BM-1.2

品牌: TI 德州仪器

封装: SOIC-8 1.2V 20mA 8Pin

当前型号

LM185-1.2 -N / LM285-1.2 -N / LM385-1.2 -N微功耗电压基准二极管 LM185-1.2-N/LM285-1.2-N/LM385-1.2-N Micropower Voltage Reference Diode

当前型号

型号: LM385BM-1.2/NOPB

品牌: 德州仪器

封装: SOIC 1.24V 20mA 8Pin

完全替代

1.2V 至 2.3V### 电压参考,Texas Instruments精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。

LM385BM-1.2和LM385BM-1.2/NOPB的区别

型号: LM385M-1.2/NOPB

品牌: 德州仪器

封装: SOIC 1.24V 20mA 8Pin

类似代替

1.2V 至 2.3V### 电压参考,Texas Instruments精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。

LM385BM-1.2和LM385M-1.2/NOPB的区别

型号: LM385BM/NOPB

品牌: 德州仪器

封装: SOIC-8 20mA 8Pin

类似代替

LM 系列### 电压参考,Texas Instruments精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。

LM385BM-1.2和LM385BM/NOPB的区别