IPP77N06S3-09、MTB75N05HD、NTB75N06T4G对比区别

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型号 IPP77N06S3-09 MTB75N05HD NTB75N06T4G

描述 OptiMOS㈢ -T电源晶体管 OptiMOS㈢-T Power-TransistorD2PAK N-CH 50V 75A75A,60V功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 D2PAK-263 TO-263-3

安装方式 Through Hole - Surface Mount

极性 N-CH N-CH N-Channel

漏源极电压(Vds) 55 V 50 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 77.0 A 75A 75.0 A

上升时间 51 ns 170 ns 112 ns

输入电容(Ciss) 5335pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds) 4510pF @25V(Vds)

下降时间 51 ns 100 ns 100 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 107W (Tc) 2500 mW 2.4 W

额定电压(DC) 55.0 V - 60.0 V

额定电流 77.0 A - 75.0 A

耗散功率 107W (Tc) - 214 W

输入电容 5.34 nF - -

栅电荷 103 nC - -

额定功率(Max) 107 W - 2.4 W

漏源极电阻 - - 9.50 mΩ

漏源击穿电压 - - 60.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

封装 TO-220-3 D2PAK-263 TO-263-3

产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown

包装方式 Tube Rail Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99