额定电压DC 55.0 V
额定电流 77.0 A
极性 N-CH
耗散功率 107W Tc
输入电容 5.34 nF
栅电荷 103 nC
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 77.0 A
上升时间 51 ns
输入电容Ciss 5335pF @25VVds
额定功率Max 107 W
下降时间 51 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 107W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IPP77N06S3-09 | Infineon 英飞凌 | OptiMOS㈢ -T电源晶体管 OptiMOS㈢-T Power-Transistor | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IPP77N06S3-09 品牌: Infineon 英飞凌 封装: TO-220 N-CH 55V 77A 5.34nF | 当前型号 | OptiMOS㈢ -T电源晶体管 OptiMOS㈢-T Power-Transistor | 当前型号 | |
型号: MTB75N05HD 品牌: 安森美 封装: | 功能相似 | D2PAK N-CH 50V 75A | IPP77N06S3-09和MTB75N05HD的区别 | |
型号: MTB75N05HDT4 品牌: 摩托罗拉 封装: | 功能相似 | TMOS POWER FET 75 AMPERES 50 VOLTS RDSon = 9.5mΩ | IPP77N06S3-09和MTB75N05HDT4的区别 |