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IPP77N06S3-09

IPP77N06S3-09

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

OptiMOS㈢ -T电源晶体管 OptiMOS㈢-T Power-Transistor

N-Channel 55V 77A Tc 107W Tc Through Hole PG-TO220-3-1


得捷:
MOSFET N-CH 55V 77A TO220-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 77A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220AB


IPP77N06S3-09中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 55.0 V

额定电流 77.0 A

极性 N-CH

耗散功率 107W Tc

输入电容 5.34 nF

栅电荷 103 nC

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 77.0 A

上升时间 51 ns

输入电容Ciss 5335pF @25VVds

额定功率Max 107 W

下降时间 51 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 107W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPP77N06S3-09引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPP77N06S3-09 Infineon 英飞凌 OptiMOS㈢ -T电源晶体管 OptiMOS㈢-T Power-Transistor 搜索库存
替代型号IPP77N06S3-09
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPP77N06S3-09

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-220 N-CH 55V 77A 5.34nF

当前型号

OptiMOS㈢ -T电源晶体管 OptiMOS㈢-T Power-Transistor

当前型号

型号: MTB75N05HD

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