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2N4919G、BD13810STU、2N4919对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N4919G BD13810STU 2N4919

描述 中功率PNP塑料 Medium-Power Plastic PNPTrans GP BJT PNP 60V 1.5A 3Pin(3+Tab) TO-126 RailGENERAL.PURPOSE功率晶体管 GENERAL.PURPOSE POWER TRANSISTORS

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-225-3 TO-126-3 TO-126-3

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -60.0 V

额定电流 1.00 A -1.50 A 1.00 A

极性 PNP, P-Channel PNP PNP

耗散功率 30 W 1.25 W 30 W

增益频宽积 - - 3 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

集电极最大允许电流 3A 1.5A 1A

最小电流放大倍数(hFE) 30 @500mA, 1V 63 @150mA, 2V 30 @500mA, 1V

最大电流放大倍数(hFE) 150 - 150

额定功率(Max) 30 W 1.25 W 30 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ 65 ℃

耗散功率(Max) 30000 mW 1250 mW 30000 mW

频率 3 MHz - -

无卤素状态 Halogen Free - -

针脚数 3 - -

直流电流增益(hFE) 10 - -

长度 - - 7.74 mm

宽度 - - 2.66 mm

高度 - 11.2 mm 11.04 mm

封装 TO-225-3 TO-126-3 TO-126-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Bulk Rail Bulk

最小包装 - - 500

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -