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2N4919

GENERAL.PURPOSE功率晶体管 GENERAL.PURPOSE POWER TRANSISTORS

The Power 3 A, 80 V Bipolar PNP Transistor is designed for driver circuits, switching and amplifier applications.

Features

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Low Saturation Voltage - VCEsat = 0.6 Vdc Max @ IC = 1.0 Amp
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Excellent Power Dissipation - PD = 30 W @ TC = 25°C
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Excellent Safe Operating Area
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Gain Specified to IC = 1.0 Amp
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Complement to NPN 2N4921, 2N4922, 2N4923
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Pb-Free Package is Available
2N4919中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 1.00 A

极性 PNP

耗散功率 30 W

增益频宽积 3 MHz

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 30 @500mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 150

额定功率Max 30 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

耗散功率Max 30000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-126-3

外形尺寸

长度 7.74 mm

宽度 2.66 mm

高度 11.04 mm

封装 TO-126-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

最小包装 500

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

2N4919引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
2N4919 ON Semiconductor 安森美 GENERAL.PURPOSE功率晶体管 GENERAL.PURPOSE POWER TRANSISTORS 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2N4919

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TO-92 PNP -60V 1A

当前型号

GENERAL.PURPOSE功率晶体管 GENERAL.PURPOSE POWER TRANSISTORS

当前型号

型号: 2N4919G

品牌: 安森美

封装: TO-92 PNP -60V 1A 30000mW

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2N4919和2N4919G的区别