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BQ4010YMA-70、DS1225AD-70IND+、M48Z58Y-70PC1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BQ4010YMA-70 DS1225AD-70IND+ M48Z58Y-70PC1

描述 8Kx8非易失SRAM 8Kx8 Nonvolatile SRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1225AD-70IND+  芯片, 存储器, NVRAMSTMICROELECTRONICS  M48Z58Y-70PC1  芯片, SRAM, ZEROPOWER? 64K

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) Maxim Integrated (美信) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 28 28 28

封装 DIP-28 EDIP-28 DIP-28

电源电压(DC) 5.00 V 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

供电电流 - - 50 mA

针脚数 - 28 28

时钟频率 70.0 GHz 70.0 GHz 70.0 GHz

存取时间 70.0 ns 70 ns 70 ns

内存容量 8000 B 8000 B 8000 B

存取时间(Max) 70 ns - 70 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) - 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) - 4.5 V 4.5 V

封装 DIP-28 EDIP-28 DIP-28

宽度 - 18.29 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99