电源电压DC 5.00 V
时钟频率 70.0 GHz
存取时间 70.0 ns
内存容量 8000 B
存取时间Max 70 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V
安装方式 Through Hole
引脚数 28
封装 DIP-28
封装 DIP-28
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BQ4010YMA-70引脚图
BQ4010YMA-70封装图
BQ4010YMA-70封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BQ4010YMA-70 | TI 德州仪器 | 8Kx8非易失SRAM 8Kx8 Nonvolatile SRAM | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BQ4010YMA-70 品牌: TI 德州仪器 封装: DIP 8000B 5V 70ns 28Pin | 当前型号 | 8Kx8非易失SRAM 8Kx8 Nonvolatile SRAM | 当前型号 | |
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型号: DS1225AD-70IND+ 品牌: 美信 封装: DIP 8000B 5V 70ns 28Pin | 功能相似 | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1225AD-70IND+ 芯片, 存储器, NVRAM | BQ4010YMA-70和DS1225AD-70IND+的区别 |