BC556BG、BC556BU、BC556B对比区别

高亮显示差异参数

型号 BC556BG BC556BU BC556B

描述 放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP SiliconTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 3Pin TO-92 BulkTransistor: PNP; bipolar; 65V; 100mA; 0.5W(1/2W); TO92

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) Diotec Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92

耗散功率 625 mW 0.5 W 500 mW

增益频宽积 - 150 MHz 150 MHz

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW - 500 mW

额定电压(DC) -65.0 V -65.0 V -

额定电流 -100 mA -100 mA -

极性 PNP PNP -

击穿电压(集电极-发射极) 65 V 65 V -

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) 180 @2mA, 5V 110 @2mA, 5V -

额定功率(Max) 625 mW 500 mW -

频率 280 MHz - -

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92

长度 5.2 mm 5.2 mm -

宽度 4.19 mm 4.19 mm -

高度 5.33 mm 5.33 mm -

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Box Bulk Roll, Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99