频率 280 MHz
额定电压DC -65.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 65 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 180 @2mA, 5V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Box
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
BC556BG引脚图
BC556BG封装图
BC556BG封装焊盘图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC556BG | ON Semiconductor 安森美 | 放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC556BG 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 PNP -65V -100mA 625mW | 当前型号 | 放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon | 当前型号 |
| 型号： BC33725BU 品牌： 安森美 封装： TO-92-3 625mW | 类似代替 | ON Semiconductor BC33725BU , NPN 晶体管, 800mA, Vce=50 V, HFE:60, 100 MHz, 3引脚 TO-92封装 | BC556BG和BC33725BU的区别 |
| 型号： BC33716BU 品牌： 安森美 封装： TO-92-3 625mW | 类似代替 | ON Semiconductor BC33716BU , NPN 晶体管, 800mA, Vce=45 V, HFE:60, 100 MHz, 3引脚 TO-92封装 | BC556BG和BC33716BU的区别 |
| 型号： BC33725TA 品牌： 安森美 封装： TO-92 625mW | 功能相似 | ON Semiconductor BC33725TA , NPN 晶体管, 800mA, Vce=45 V, HFE:100, 100 MHz, 3引脚 TO-92封装 | BC556BG和BC33725TA的区别 |
