额定电压DC -65.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 0.5 W
增益频宽积 150 MHz
击穿电压集电极-发射极 65 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 110 @2mA, 5V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
安装方式 Through Hole
封装 TO-92-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BC556BU 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-92 PNP -65V -100mA | 当前型号 | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 3Pin TO-92 Bulk | 当前型号 | |
型号: BC556ABU 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-92 PNP -65V -100mA 500mW | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BC556ABU 单晶体管 双极, PNP, -65 V, 150 MHz, 500 mW, -100 mA, 110 hFE | BC556BU和BC556ABU的区别 | |
型号: BC556BG 品牌: 安森美 封装: TO-92 PNP -65V -100mA 625mW | 功能相似 | 放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon | BC556BU和BC556BG的区别 | |
型号: BC556BBK 品牌: Diotec Semiconductor 封装: | 功能相似 | TO-92 PNP 65V 0.1A | BC556BU和BC556BBK的区别 |