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JANS2N3501、JANTX2N3501、2N3501对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANS2N3501 JANTX2N3501 2N3501

描述 NPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTORNPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTORTrans GP BJT NPN 150V 0.3A 3Pin TO-39

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Semelab

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 3

封装 TO-39 TO-39-3 TO-39

耗散功率 1 W 1 W -

击穿电压(集电极-发射极) 150 V 150 V -

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V -

额定功率(Max) 1 W 1 W -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW 1000 mW

极性 NPN - -

集电极最大允许电流 0.3A - -

封装 TO-39 TO-39-3 TO-39

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -