JANS2N3501
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANS2N3501中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 150 V
集电极最大允许电流 0.3A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-39
外形尺寸
封装 TO-39
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准
海关信息
ECCN代码 EAR99
JANS2N3501引脚图与封装图
暂无图片
在线购买JANS2N3501
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANS2N3501 | Microsemi 美高森美 | NPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号JANS2N3501
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANS2N3501 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-39 NPN 1000mW | 当前型号 | NPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： JANTX2N3501 品牌： 美高森美 封装： TO-39 1000mW | 完全替代 | NPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTOR | JANS2N3501和JANTX2N3501的区别 |
| 型号： JANTX2N3501L 品牌： 美高森美 封装： ~30deg 1000mW | 完全替代 | NPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTOR | JANS2N3501和JANTX2N3501L的区别 |
| 型号： JAN2N3501 品牌： 美高森美 封装： TO-205AD 1000mW | 完全替代 | NPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTOR | JANS2N3501和JAN2N3501的区别 |