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DS1220AD-200IND、DS1220AD-200+、DS1220AD-100IND+对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1220AD-200IND DS1220AD-200+ DS1220AD-100IND+

描述 IC NVSRAM 16Kbit 200NS 24DIPMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1220AD-200+  芯片, 存储器, NVRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1220AD-100IND+  芯片, 存储器, NVRAM

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 24 24 24

封装 DIP-24 EDIP-24 DIP-24

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

针脚数 - 24 24

时钟频率 200 GHz 200 GHz 100 GHz

存取时间 200 ns 200 ns 100 ns

内存容量 2000 B 2000 B 2000 B

工作温度(Max) - 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) - 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) - 4.5 V 4.5 V

长度 - 34.04 mm 38.1 mm

宽度 - 18.29 mm 18.29 mm

高度 - 9.4 mm 10.67 mm

封装 DIP-24 EDIP-24 DIP-24

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -