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DS1220AD-200IND

DS1220AD-200IND

数据手册.pdf
Maxim Integrated(美信) 电子元器件分类

IC NVSRAM 16Kbit 200NS 24DIP

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 16Kb 2K x 8 Parallel 200ns 24-EDIP


得捷:
IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP


DS1220AD-200IND中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

时钟频率 200 GHz

存取时间 200 ns

内存容量 2000 B

电源电压 4.5V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 24

封装 DIP-24

外形尺寸

封装 DIP-24

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DS1220AD-200IND引脚图与封装图
DS1220AD-200IND引脚图

DS1220AD-200IND引脚图

DS1220AD-200IND封装图

DS1220AD-200IND封装图

DS1220AD-200IND封装焊盘图

DS1220AD-200IND封装焊盘图

在线购买DS1220AD-200IND
型号 制造商 描述 购买
DS1220AD-200IND Maxim Integrated 美信 IC NVSRAM 16Kbit 200NS 24DIP 搜索库存
替代型号DS1220AD-200IND
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DS1220AD-200IND

品牌: Maxim Integrated 美信

封装: DIP 2000B 5V 200ns 24Pin

当前型号

IC NVSRAM 16Kbit 200NS 24DIP

当前型号

型号: DS1220AD-200+

品牌: 美信

封装: DIP 2000B 5V 200ns 24Pin

完全替代

MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1220AD-200+  芯片, 存储器, NVRAM

DS1220AD-200IND和DS1220AD-200+的区别

型号: DS1220AD-200IND+

品牌: 美信

封装: DIP 2000B 5V 200ns 24Pin

完全替代

RAM,Maxim Integrated

DS1220AD-200IND和DS1220AD-200IND+的区别

型号: DS1220AD-200

品牌: 美信

封装: EDIP 2000B 5V 200ns 24Pin

完全替代

IC NVSRAM 16Kbit 200NS 24DIP

DS1220AD-200IND和DS1220AD-200的区别