CPH3355-TL-H、CPH3355-TL-W对比区别
描述 P沟道功率MOSFET,-30V,-2.5A,156mΩPower MOSFET, -30V, 156mΩ, -2.5A, Single P-Channel
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3
无卤素状态 Halogen Free -
极性 P-CH -
耗散功率 1W (Ta) 1 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 2.5A -
上升时间 4.2 ns 4.2 ns
输入电容(Ciss) 172pF @10V(Vds) 172pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 1 W -
下降时间 10.6 ns 10.6 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
耗散功率(Max) 1W (Ta) 1W (Ta)
通道数 - 1
漏源极电阻 - 156 mΩ
阈值电压 - 4 V
漏源击穿电压 - 30 V
工作温度(Min) - 55 ℃
长度 2.9 mm -
宽度 1.6 mm -
高度 0.9 mm -
封装 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
材质 - Silicon
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free