CPH3355-TL-W中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 156 mΩ
耗散功率 1 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
上升时间 4.2 ns
输入电容Ciss 172pF @10VVds
下降时间 10.6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
CPH3355-TL-W引脚图与封装图
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在线购买CPH3355-TL-W
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CPH3355-TL-W | ON Semiconductor 安森美 | Power MOSFET, -30V, 156mΩ, -2.5A, Single P-Channel | 搜索库存 |
替代型号CPH3355-TL-W
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CPH3355-TL-W 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： CPH-3 | 当前型号 | Power MOSFET, -30V, 156mΩ, -2.5A, Single P-Channel | 当前型号 |
| 型号： CPH3355-TL-H 品牌： 安森美 封装： CPH P-CH 30V 2.5A | 类似代替 | P沟道功率MOSFET,-30V,-2.5A,156mΩ | CPH3355-TL-W和CPH3355-TL-H的区别 |