锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

THS4271DR、THS4275DR、THS4271D对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 THS4271DR THS4275DR THS4271D

描述 低噪声,高转换速率,单位增益稳定的电压放大器客户反馈 LOW NOISE, HIGH SLEW RATE, UNITY GAIN STABLE VOLTAGE FREEBACK AMPLIFIER低噪声,高转换速率,单位增益稳定的电压放大器客户反馈 LOW NOISE, HIGH SLEW RATE, UNITY GAIN STABLE VOLTAGE FREEBACK AMPLIFIERTexas Instruments

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 22 mA 22 mA 22 mA

电路数 1 1 1

带宽 400 MHz 400 MHz 1.4 GHz

转换速率 1.00 kV/μs 1.00 kV/μs 1.00 kV/μs

增益频宽积 350 MHz 400 MHz 350 MHz

输入补偿电压 5 mV 5 mV 5 mV

输入偏置电流 6 µA 6 µA 6 µA

3dB带宽 1.4 GHz 1.4 GHz 1.4 GHz

增益带宽 400 MHz 400 MHz 400 MHz

电源电压(DC) - - 5.00 V

输出电流 120mA @5V - 120mA @5V

通道数 1 - 1

针脚数 - - 8

耗散功率 1020 mW - 1.02 W

共模抑制比 67 dB - 67 dB

输入补偿漂移 10.0 µV/K - 10.0 µV/K

可用通道 S - S

工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ - -40 ℃

耗散功率(Max) 1020 mW - 1020 mW

共模抑制比(Min) 67 dB - 67 dB

电源电压(Max) 15 V - -

电源电压(Min) 5 V - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm - 4.9 mm

宽度 3.91 mm - 3.91 mm

高度 1.58 mm - 1.58 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99