输出电流 120mA @5V
供电电流 22 mA
电路数 1
通道数 1
耗散功率 1020 mW
共模抑制比 67 dB
输入补偿漂移 10.0 µV/K
带宽 400 MHz
转换速率 1.00 kV/μs
增益频宽积 350 MHz
输入补偿电压 5 mV
输入偏置电流 6 µA
可用通道 S
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 40 ℃
3dB带宽 1.4 GHz
增益带宽 400 MHz
耗散功率Max 1020 mW
共模抑制比Min 67 dB
电源电压Max 15 V
电源电压Min 5 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.91 mm
高度 1.58 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
THS4271DR引脚图
THS4271DR封装图
THS4271DR封装焊盘图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| THS4271DR | TI 德州仪器 | 低噪声，高转换速率，单位增益稳定的电压放大器客户反馈 LOW NOISE, HIGH SLEW RATE, UNITY GAIN STABLE VOLTAGE FREEBACK AMPLIFIER | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： THS4271DR 品牌： TI 德州仪器 封装： 8-SOIC 1.4GHz 1Channel 8Pin | 当前型号 | 低噪声，高转换速率，单位增益稳定的电压放大器客户反馈 LOW NOISE, HIGH SLEW RATE, UNITY GAIN STABLE VOLTAGE FREEBACK AMPLIFIER | 当前型号 |
| 型号： THS4271D 品牌： 德州仪器 封装： SOIC 1.4GHz 1Channel 8Pin | 类似代替 | Texas Instruments | THS4271DR和THS4271D的区别 |
| 型号： THS4275DR 品牌： 德州仪器 封装： 8-SOIC 8Pin 1kV/us | 类似代替 | 低噪声，高转换速率，单位增益稳定的电压放大器客户反馈 LOW NOISE, HIGH SLEW RATE, UNITY GAIN STABLE VOLTAGE FREEBACK AMPLIFIER | THS4271DR和THS4275DR的区别 |
