BD243CG、TIP41CG、BD243C对比区别
描述 NPN 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管NPN 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管STMICROELECTRONICS BD243C 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 3 MHz, 65 W, 6 A, 30 hFE
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
频率 3 MHz 3 MHz 3 MHz
额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V
额定电流 6.00 A 6.00 A 6.00 A
额定功率 - - 65 W
针脚数 3 3 3
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 65 W 65 W 65 W
击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V
最小电流放大倍数(hFE) 15 @3A, 4V 15 @3A, 4V 15 @3A, 4V
额定功率(Max) 65 W 2 W 65 W
直流电流增益(hFE) 30 3 30
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 65000 mW 2000 mW 65000 mW
增益频宽积 - 3 MHz -
热阻 - 1.67℃/W (RθJC) -
集电极最大允许电流 - 6A -
长度 10.28 mm 10.28 mm 10.4 mm
宽度 4.82 mm 4.83 mm 4.6 mm
高度 15.75 mm 15.75 mm 9.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -