IRFR120ATM、IRFR120ZPBF、IRFR120ATF对比区别

高亮显示差异参数

型号 IRFR120ATM IRFR120ZPBF IRFR120ATF

描述 Trans MOSFET N-CH 100V 8.4A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RINFINEON  IRFR120ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 8.7 A, 100 V, 190 mohm, 10 V, 4 VTrans MOSFET N-CH 100V 8.4A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-252-3 TO-252-3 DPAK

额定功率 - 35 W -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 0.2 Ω 0.19 Ω -

极性 N-Channel N-CH N-CH

耗散功率 32 W 35 W -

阈值电压 4 V 4 V -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 8.40 A 8.7A 8.4A

上升时间 - 26 ns -

输入电容(Ciss) 480pF @25V(Vds) 310pF @25V(Vds) -

下降时间 - 23 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 32W (Tc) 35W (Tc) -

漏源击穿电压 ±60.0 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

长度 - 6.73 mm -

宽度 - 6.22 mm -

高度 - 2.39 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 DPAK

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Not Recommended for New Designs Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99