漏源极电阻 0.2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 32 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 ±60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 8.40 A
输入电容Ciss 480pF @25VVds
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 32W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRFR120ATM | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 100V 8.4A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRFR120ATM 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: DPAK N-Channel 100V 8.4A 200mohms | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 100V 8.4A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 当前型号 | |
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型号: IRFR120TRPBF 品牌: Vishay Siliconix 封装: TO-252-3 | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3Pin2+Tab DPAK T/R | IRFR120ATM和IRFR120TRPBF的区别 | |
型号: IRFR120TRLPBF 品牌: Vishay Siliconix 封装: TO-252-3 | 功能相似 | MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK | IRFR120ATM和IRFR120TRLPBF的区别 |