DMG1013T-7、DMN2020LSN-7、DMG1012T-7对比区别

高亮显示差异参数

型号 DMG1013T-7 DMN2020LSN-7 DMG1012T-7

描述 •低导通电阻•低栅极阈值电压•低输入电容•开关速度快•低输入/输出漏DIODES INC.  DMN2020LSN-7  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.9 A, 20 V, 0.013 ohm, 4.5 V, 1 V 新DMG1012T 系列 20 V 400 mOhm N 沟道 增强模式 Mosfet - SOT-523

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-523-3 SC-59-3 SOT-523-3

额定功率 - - 0.28 W

通道数 1 - 1

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.5 Ω 0.013 Ω 0.3 Ω

极性 P-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 270 mW 610 mW 280 mW

阈值电压 1 V 1 V 1 V

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

漏源击穿电压 20 V - 20 V

连续漏极电流(Ids) 0.46A 6.9A 0.63A

上升时间 8.1 nS 12.49 ns 7.4 ns

输入电容(Ciss) 59.76pF @16V(Vds) 1149pF @10V(Vds) 60.67pF @16V(Vds)

额定功率(Max) 270 mW 610 mW 280 mW

下降时间 20.7 ns 12.33 ns 12.3 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 270mW (Ta) 610mW (Ta) 280 mW

输入电容 - 1149 pF -

封装 SOT-523-3 SC-59-3 SOT-523-3

长度 - 3 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99