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DMG1013T-7

DMG1013T-7

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

•低导通电阻•低栅极阈值电压•低输入电容•开关速度快•低输入/输出漏

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 6V 最大漏极电流IdDrain Current| -0.46A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.5Ω @-350mA,-4.5V 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| -0.5--1.0V 耗散功率PdPower Dissipation| 270mW/0.27W Description & Applications| • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage 描述与应用| •低导通电阻 •低栅极阈值电压 •低输入电容 •开关速度快 •低输入/输出漏


得捷:
MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523


立创商城:
P沟道 20V 460mA


贸泽:
MOSFET MOSFET P-CHANNEL SOT-523


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, AEC-Q101, P沟道, 20 V, 460 mA, 0.5 ohm, SOT-523, 表面安装


艾睿:
If you need to either amplify or switch between signals in your design, then Diodes Zetex&s;s DMG1013T-7 power MOSFET is for you. Its maximum power dissipation is 270 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Allied Electronics:
MOSFET P-Channel 20V 0.46A SOT523


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.46A Automotive 3-Pin SOT-523 T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.46A Automotive 3-Pin SOT-523 T/R


Newark:
# DIODES INC.  DMG1013T-7  MOSFET, P CH, -20V, SOT-523


儒卓力:
**P-CH-FET+ESD 20V 0,46A SOT523 **


Win Source:
MOSFET P-CH 20V 0.46A SOT-523


DMG1013T-7中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.5 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 270 mW

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

连续漏极电流Ids 0.46A

上升时间 8.1 nS

输入电容Ciss 59.76pF @16VVds

额定功率Max 270 mW

下降时间 20.7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 270mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-523-3

外形尺寸

封装 SOT-523-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

DMG1013T-7引脚图与封装图
DMG1013T-7引脚图

DMG1013T-7引脚图

DMG1013T-7封装焊盘图

DMG1013T-7封装焊盘图

在线购买DMG1013T-7
型号 制造商 描述 购买
DMG1013T-7 Diodes 美台 •低导通电阻•低栅极阈值电压•低输入电容•开关速度快•低输入/输出漏 搜索库存
替代型号DMG1013T-7
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DMG1013T-7

品牌: Diodes 美台

封装: SOT-523 P-Channel 20V 0.46A

当前型号

•低导通电阻•低栅极阈值电压•低输入电容•开关速度快•低输入/输出漏

当前型号

型号: DMG1012T-7

品牌: 美台

封装: SOT-523 N-Channel 20V 0.63A

类似代替

DMG1012T 系列 20 V 400 mOhm N 沟道 增强模式 Mosfet - SOT-523

DMG1013T-7和DMG1012T-7的区别

型号: DMN26D0UT-7

品牌: 美台

封装: SOT-523 N-Channel 20V 0.23A

类似代替

DMN26D0UT 系列 20 V 3 Ohm 表面贴装 N 沟道 增强模式 Mosfet - SOT-523

DMG1013T-7和DMN26D0UT-7的区别

型号: DMG1012UW-7

品牌: 美台

封装: SOT-323 N-CH 20V 1A

功能相似

N 沟道 20 V 1 A 0.45 Ω 表面贴装 增强模式 功率 MosFet - SOT-323

DMG1013T-7和DMG1012UW-7的区别