锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

DMN2020LSN-7

DMN2020LSN-7

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

DIODES INC.  DMN2020LSN-7  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.9 A, 20 V, 0.013 ohm, 4.5 V, 1 V 新

表面贴装型 N 通道 20 V 6.9A(Ta) 610mW(Ta) SC-59-3


得捷:
MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3


立创商城:
N沟道 20V 6.9A


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 6.9 A, 20 V, 0.013 ohm, 4.5 V, 1 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A Automotive 3-Pin SC-59 T/R


Allied Electronics:
MOSFET N-Channel 20V 6.9A SC-59


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A Automotive 3-Pin SC-59 T/R


Newark:
# DIODES INC.  DMN2020LSN-7  MOSFET, N-CH, 20V, SC-59-3


Win Source:
MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59


DMN2020LSN-7中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.013 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 610 mW

阈值电压 1 V

输入电容 1149 pF

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 6.9A

上升时间 12.49 ns

输入电容Ciss 1149pF @10VVds

额定功率Max 610 mW

下降时间 12.33 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 610mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-59-3

外形尺寸

长度 3 mm

封装 SC-59-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

DMN2020LSN-7引脚图与封装图
DMN2020LSN-7引脚图

DMN2020LSN-7引脚图

DMN2020LSN-7封装焊盘图

DMN2020LSN-7封装焊盘图

在线购买DMN2020LSN-7
型号 制造商 描述 购买
DMN2020LSN-7 Diodes 美台 DIODES INC.  DMN2020LSN-7  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.9 A, 20 V, 0.013 ohm, 4.5 V, 1 V 新 搜索库存
替代型号DMN2020LSN-7
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DMN2020LSN-7

品牌: Diodes 美台

封装: SC-59-3 N-Channel 20V 6.9A

当前型号

DIODES INC.  DMN2020LSN-7  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.9 A, 20 V, 0.013 ohm, 4.5 V, 1 V 新

当前型号

型号: DMG1012UW-7

品牌: 美台

封装: SOT-323 N-CH 20V 1A

功能相似

N 沟道 20 V 1 A 0.45 Ω 表面贴装 增强模式 功率 MosFet - SOT-323

DMN2020LSN-7和DMG1012UW-7的区别

型号: DMG1012T-7

品牌: 美台

封装: SOT-523 N-Channel 20V 0.63A

功能相似

DMG1012T 系列 20 V 400 mOhm N 沟道 增强模式 Mosfet - SOT-523

DMN2020LSN-7和DMG1012T-7的区别

型号: DMG1013T-7

品牌: 美台

封装: SOT-523 P-Channel 20V 0.46A

功能相似

•低导通电阻•低栅极阈值电压•低输入电容•开关速度快•低输入/输出漏

DMN2020LSN-7和DMG1013T-7的区别