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ESD8351XV2T1G、SZESD8351XV2T1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ESD8351XV2T1G SZESD8351XV2T1G

描述 ESD保护3.3VRWM,低电容ESD保护二极管

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 二极管二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2

封装 SOD-523 SOD-523-2

电容 0.55 pF 0.55 pF

针脚数 2 -

钳位电压 11.2 V 11.2 V

最小反向击穿电压 5.5 V 5.5 V

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

工作电压 - 3.3 V

击穿电压 - 5.5 V

高度 0.6 mm 0.6 mm

封装 SOD-523 SOD-523-2

工作温度 -55℃ ~ 125℃ (TJ) -55℃ ~ 125℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 -