SZESD8351XV2T1G中文资料参数规格
技术参数
工作电压 3.3 V
电容 0.55 pF
击穿电压 5.5 V
钳位电压 11.2 V
最小反向击穿电压 5.5 V
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SOD-523-2
外形尺寸
高度 0.6 mm
封装 SOD-523-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SZESD8351XV2T1G引脚图与封装图
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在线购买SZESD8351XV2T1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SZESD8351XV2T1G | ON Semiconductor 安森美 | 3.3VRWM,低电容ESD保护二极管 | 搜索库存 |
替代型号SZESD8351XV2T1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SZESD8351XV2T1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： 502-01 | 当前型号 | 3.3VRWM,低电容ESD保护二极管 | 当前型号 |
| 型号： ESD8351XV2T1G 品牌： 安森美 封装： SC-79 | 完全替代 | ESD保护 | SZESD8351XV2T1G和ESD8351XV2T1G的区别 |