APT8020JFLL、APT8020JLL、APT8014JLL对比区别

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型号 APT8020JFLL APT8020JLL APT8014JLL

描述 功率MOS 7TM是新一代低损耗，高电压，N沟道增强型功率MOSFET 。 Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.SOT-227 N-CH 800V 33ASOT-227 N-CH 800V 42A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Screw Screw Screw

引脚数 4 4 4

封装 SOT-227 SOT-227-4 SOT-227-4

额定电压(DC) 800 V 800 V 800 V

额定电流 33.0 A 33.0 A 42.0 A

输入电容 5.20 nF 5.20 nF 7.24 nF

栅电荷 195 nC 195 nC 285 nC

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V

连续漏极电流(Ids) 33.0 A 33.0 A 42.0 A

上升时间 14 ns 14 ns 19 ns

输入电容(Ciss) 5200pF @25V(Vds) 5200pF @25V(Vds) 7238pF @25V(Vds)

下降时间 10 ns 10 ns 15 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 520000 mW 520W (Tc) 595W (Tc)

极性 - N-CH N-CH

耗散功率 - 520 W 595 W

额定功率(Max) - - 595 W

封装 SOT-227 SOT-227-4 SOT-227-4

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)