![APT8014JLL](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_7/chanpintu/apt8014jll-IfpVbEQH-yoDrrXVZ0.png)
额定电压DC 800 V
额定电流 42.0 A
极性 N-CH
耗散功率 595 W
输入电容 7.24 nF
栅电荷 285 nC
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 42.0 A
上升时间 19 ns
输入电容Ciss 7238pF @25VVds
额定功率Max 595 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 595W Tc
安装方式 Screw
引脚数 4
封装 SOT-227-4
封装 SOT-227-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
APT8014JLL | Microsemi 美高森美 | SOT-227 N-CH 800V 42A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: APT8014JLL 品牌: Microsemi 美高森美 封装: SOT-227 N-CH 800V 42A 7.24nF | 当前型号 | SOT-227 N-CH 800V 42A | 当前型号 | |
型号: APT8020JLL 品牌: 美高森美 封装: SOT-227 N-CH 800V 33A 5.2nF | 类似代替 | SOT-227 N-CH 800V 33A | APT8014JLL和APT8020JLL的区别 | |
型号: APT8020JFLL 品牌: 美高森美 封装: SOT-227 800V 33A 5.2nF | 类似代替 | 功率MOS 7TM是新一代低损耗,高电压,N沟道增强型功率MOSFET 。 Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. | APT8014JLL和APT8020JFLL的区别 | |
型号: APT8024JLL 品牌: 美高森美 封装: SOT-227 N-CH 800V 29A 4.67nF | 类似代替 | SOT-227 N-CH 800V 29A | APT8014JLL和APT8024JLL的区别 |